收藏本站
IRFZ34E
1000
100
VGS
TOP    15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
1000
100
VGS
TOP    15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
10
10
4.5V
4.5V
1
1
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10             100
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10             100
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25 ° C
2.5
I D = 28A
10
T J = 175 ° C
2.0
1.5
1.0
1
0.5
0.1
V DS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = 10V
4
5
6
7
8
9
10
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature          ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IRFZ34NL MOSFET N-CH 55V 29A TO-262
IRFZ34STRLPBF MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
IRFZ44ESTRL MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
IRFZ44E MOSFET N-CH 60V 48A TO-220AB
IRFZ44NSTRR MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
IRFZ46NSTRL MOSFET N-CH 55V 53A D2PAK
IRFZ48NL MOSFET N-CH 55V 64A TO-262
IRFZ48VSTRLPBF MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
相关代理商/技术参数
IRFZ34EHR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRFZ34EPBF 功能描述:MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 7mOhms 30nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34LPBF 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET
IRFZ34N 功能描述:MOSFET MOSFET, 55V, 26A, 40 mOhm, 22.7 nC Qg, TO-220AB RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRFZ34N-019 制造商:IandR 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-220AB
IRFZ34NL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 29A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRFZ34NLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube